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参数目录38065
> NTMSD3P102R2G MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC
型号:
NTMSD3P102R2G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
NTMSD3P102R2G PDF
产品变化通告
Product Discontinuation 04/April/2008
Wire Change 12/May/2009
标准包装
2,500
系列
FETKY™
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2.34A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
85 毫欧 @ 3.05A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
25nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
750pF @ 16V
功率 - 最大
730mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
8-SOICN
包装
带卷 (TR)
其它名称
NTMSD3P102R2GOS
查看NTMSD3P102R2G代理商
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